第340章 简化工艺[1/2页]

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    几天后，他再次出现在“创客联盟”的地下室。
    nbsp这一次，他手里多了一个厚厚的笔记本。
    nbsp“欧阳，阿谦，先停一下。”明朗叫停了又在争论的兄弟俩，将笔记本摊开在堆满元件的工作台上：“我回去想了很久，关于我们那个屏幕，我有些新的想法。我们不能只盯着触摸屏本身，我们要做，就做整个显示模组！从TFT阵列开始！”
    nbsp“什么？从阵列开始？”欧阳旭惊得眼镜都快掉了：“明哥，你知道那需要无尘车间、光刻机、镀膜机……那得花多少钱？我们这破地方怎么可能？”
    nbsp“听我说完。”明朗沉稳地压压手，指着笔记本上画出的流程图：“是的，完整的TFT阵列工艺非常复杂，动辄几十上百道工序。但如果我们目标明确，只做小尺寸、低分辨率（240*320，也就是QVGA），我们可以把它压缩到十几道关键工序。这不是天方夜谭。”
    nbsp他开始详细阐述他构思的简化版量产工艺：
    nbsp1.nbsp阵列（Array）工艺nbspnbsp简化版核心
    nbsp“首先，基底。我们不用追求高标准的玻璃基板，就用国产的、厚度左右的钠钙玻璃就行，成本低。先进行清洗和预处理。”
    nbsp“然后，第一次薄膜沉积——栅极金属层。我们用磁控溅射的方式，镀上一层钼铝钼（MoAlMo）合金层。Mo和玻璃附着力好，Al导电性好且便宜，上面的Mo层可以防止Al扩散和氧化。这是我们未来栅极线和栅电极的基础。”
    nbsp“接着，第一次光刻（Photo1）。涂上光刻胶，用我们设计的栅极图案掩膜板进行曝光、显影。然后通过湿法刻蚀，把不需要的金属层蚀刻掉，形成我们设计好的栅极扫描线（GatenbspLiFT的栅极（Gaterode）。清洗，脱掉剩余光刻胶。”
    nbsp“下一步，沉积栅极绝缘层（GI层）和半导体有源层。用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备，连续沉积氮化硅（SiNx）作为绝缘层，和非晶硅（aSi）层作为TFT的沟道材料。这一步很关键，决定了TFT的开关特性。”
    nbsp“第二次光刻（Photo2）。定义出半导体孤岛（aSinbspIsland），只保留未来TFT沟道区域的那部分aSi，其他的用CF4/O2等离子体干法刻蚀掉。”
    nbsp“第三次薄膜沉积——源漏金属层。同样用溅射法，镀上一层和栅极类似的金属层，比如Cr（铬）或者还是MoAlMo。”
    nbsp“第三次光刻（Photo3）。定义出源极（Source）、漏极（Drain）和数据线（DatanbspLine）。通过刻蚀形成图案。注意，这里源漏极之间会有一个间隙，就是未来的沟道。”
    nbsp“最后，沉积钝化层（PassivationnbspLayer）。再用PECVD镀一层氮化硅，保护下面的电路。第四次光刻（Photo4），开出接触孔（ContactnbspHole），露出漏极的一部分，以便后续连接像素电极。”
    nbsp“沉积ITO层。用溅射法镀上氧化铟锡透明导电膜。第五次光刻（Photo5），定义出像素电极（PixelnbspITO）。这样，阵列基板就完成了。看，核心其实就5次光刻！比标准工艺简化了一大半！”
    nbsp欧阳谦听得目瞪口呆，飞速地在自己的本子上记录着，时而皱眉思考，时而恍然大悟。
    nbsp明朗说的这些工艺名词他大部分在理论上都学过，但从没想过可以如此大胆地简化整合！
    nbsp尤其是5次光刻的概念，极大地降低了设备投入和工艺复杂度。
    nbsp“阵列基板完成后，另一边是彩膜（CF）基板。”
    nbsp明朗继续讲解。
    nbsp“彩膜基板相对简单：在玻璃上先涂覆黑色矩阵（BM，BlacknbspMatrix）材料，光刻出黑框，用来遮光和防止串扰。然后依次用光刻法制作红（R）、绿（G）、蓝（B）三种颜色的树脂色阻（ColornbspResin）。最后再涂覆一层平整的覆盖层（OC），再溅射上一层公用的ITO电极。”
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